时间：2025/5/23 6:48:20
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AONT32136C是一款高性能的N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用了先进的制造工艺，在低导通电阻和快速开关速度方面表现出色，能够显著提高系统效率并降低功耗。
其封装形式为TO-252（DPAK），适合表面贴装技术（SMT）生产流程，同时具备良好的散热性能。此外，该器件支持较高的连续漏极电流，并在宽电压范围内保持稳定的工作特性。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：32A
导通电阻（典型值，Vgs=10V）：3.6mΩ
栅极电荷：85nC
开关时间：ton=17ns，toff=22ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻，可有效减少传导损耗。
2. 快速的开关速度，适合高频应用场合。
3. 高电流处理能力，适用于大功率电路设计。
4. 热稳定性强，能够在恶劣环境下可靠运行。
5. 封装小巧，易于集成到紧凑型设计方案中。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源中的同步整流电路。
2. DC-DC转换器的核心开关元件。
3. 电机驱动电路中的H桥或半桥配置。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 工业控制设备中的功率管理模块。
6. 电动汽车及电池管理系统中的关键功率路径控制组件。
AOTF32136C
AONP32136C
