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AONS66920 发布时间 时间:2025/5/21 21:51:37 查看 阅读:4

AONS66920 是一款来自 Alpha & Omega Semiconductor (AOS) 的 N 没有逻辑控制的 P-channel 功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,适用于多种电源管理应用。其小尺寸封装使其非常适合空间受限的设计环境。
  该 MOSFET 主要用于负载开关、ORing 二极管替代、DC-DC 转换器等场景。

参数

最大漏源电压:-30V
  连续漏极电流:-14A
  导通电阻(典型值):1.8mΩ
  栅极电荷(典型值):37nC
  总电容(输入电容):1550pF
  工作温度范围:-55℃ 至 150℃
  封装类型:LFPAK88-8

特性

AONS66920 提供了卓越的性能表现,具备以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 高度紧凑的 LFPAK88 封装形式,支持表面贴装技术 (SMT),能够节省 PCB 空间。
  3. 出色的热稳定性,确保在高温环境下依然可以稳定运行。
  4. 快速开关能力,有效降低开关损耗。
  5. 可靠的电气性能和鲁棒性设计,适用于严苛的工作条件。

应用

该功率 MOSFET 广泛应用于各种电子设备中,包括但不限于:
  1. 笔记本电脑及平板电脑适配器中的负载开关。
  2. ORing 应用场合,例如服务器和通信系统的冗余电源配置。
  3. 各类 DC-DC 转换器电路,用以提升转换效率。
  4. 电池管理系统 (BMS) 中的保护开关。
  5. 工业自动化设备中的电机驱动和电源切换。

替代型号

AONS66922, AONS66924

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AONS66920参数

  • 现有数量133,267现货
  • 价格1 : ¥10.89000剪切带(CT)3,000 : ¥4.60442卷带(TR)
  • 系列AlphaSGT?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)17.5A(Ta),48A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)8.2 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)50 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2500 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)5W(Ta),56.5W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线