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AONS66641 发布时间 时间:2025/7/2 9:46:10 查看 阅读:8

AONS66641是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生产的高性能N沟道MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有极低的导通电阻和快速的开关速度,非常适合用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及其他需要高效功率管理的应用场景。
  这款MOSFET以小型化的SOT-23封装形式提供,适合空间受限的设计。AONS66641在高频率下的效率表现尤为突出,因此广泛应用于消费类电子、通信设备以及工业控制等领域。

参数

型号:AONS66641
  类型:N沟道 MOSFET
  Vds(漏源电压):30V
  Rds(on)(导通电阻,典型值):75mΩ
  Id(持续漏电流):4.8A
  Qg(栅极电荷):3.5nC
  Ciss(输入电容):205pF
  Coss(输出电容):39pF
  封装:SOT-23
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

AONS66641具备以下显著特点:
  1. 极低的Rds(on)确保了较低的传导损耗,从而提高了整体系统效率。
  2. 快速开关性能使其适用于高频应用,减少开关损耗。
  3. 小型SOT-23封装有助于节省电路板空间。
  4. 高雪崩能量能力,增强了器件的耐用性和可靠性。
  5. 具有出色的热稳定性,在高温环境下也能保持稳定的性能。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保。

应用

AONS66641主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器中的功率开关。
  3. 负载开关,保护电路免受过流或短路的影响。
  4. 电池管理系统的充放电控制。
  5. 电机驱动中的功率级控制。
  6. 各种消费类电子产品中的电源管理模块。
  由于其高效的性能和紧凑的尺寸,AONS66641成为许多便携式设备的理想选择。

替代型号

AONP66641
  AOT26641
  FDMT66641

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AONS66641参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥8.32826卷带(TR)
  • 系列AlphaSGT?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)47A(Ta),275A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)8V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.4 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)110 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5300 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)6.2W(Ta),208W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线