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AONS66524 发布时间 时间:2025/5/19 15:32:55 查看 阅读:16

AONS66524是一款由Alpha and Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道MOSFET,采用TOLL封装形式。该器件专为低导通电阻和高效率应用而设计,适用于各种功率转换场景。其工作电压范围高达100V,并具备极低的导通电阻(Rds(on)),从而有效降低传导损耗并提高整体系统效率。

参数

最大额定电压:100V
  最大额定电流:89A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,在Vgs=10V条件下)
  栅极电荷:76nC(典型值)
  反向恢复时间:30ns(典型值)
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装形式:TOLL

特性

AONS66524具有极低的导通电阻,非常适合用于高功率密度的应用场景。
  其TOLL封装提供了出色的热性能和电气性能,同时支持高效的散热管理。
  该器件还具备快速开关速度,能够显著减少开关损耗。
  其坚固的设计使其能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行,包括高温环境。
  AONS66524的低栅极电荷和优化的Qg特性进一步提升了系统的动态表现,适合高频开关应用。

应用

AONS66524广泛应用于服务器电源、通信电源、工业电机驱动、太阳能逆变器以及电动车充电装置等场景。
  它也非常适合用作同步整流器、DC-DC转换器、降压/升压电路中的开关元件。
  此外,其强大的电流承载能力和耐高压特性,使其成为大功率AC-DC转换器的理想选择。

替代型号

AOSS165N100
  AONQ265100
  IRFH7722TRPBF

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AONS66524参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥6.66261卷带(TR)
  • 系列AlphaSGT?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)150 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)13A(Ta),56A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)8V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)16 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.7V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)35 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1780 pF @ 75 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)6.2W(Ta),119W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线