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AONS66402 发布时间 时间:2025/8/2 6:42:21 查看 阅读:32

AONS66402 是一款由 Alpha and Omega Semiconductor(AOS)推出的高性能双N沟道功率MOSFET,采用先进的Trench技术,旨在提供高效率和低导通电阻(Rds(on))特性。该器件广泛用于电源管理应用,如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电池管理系统。AONS66402 采用紧凑的DFN5x6封装,具有优异的热性能和空间利用率,适用于对尺寸和效率要求较高的应用。

参数

类型:双N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  漏极电流(Id):12A
  导通电阻(Rds(on)):@4.5V = 4.2mΩ,@2.5V = 5.5mΩ
  功率耗散(Pd):3.6W
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:DFN5x6

特性

AONS66402 MOSFET 具备多项显著特性,首先其采用先进的Trench技术,实现了超低导通电阻,从而有效降低导通损耗,提高系统效率。
  该器件支持较高的栅极电压(±20V),具备良好的稳定性和抗干扰能力,在复杂的工作环境中仍能保持正常运行。
  其次,其双N沟道配置允许在H桥或同步整流等应用中高效使用,简化电路设计并减少外部元件数量。
  AONS66402 的DFN5x6封装不仅体积小巧,还具有良好的散热性能,适用于高密度PCB布局和高功率密度系统设计。
  此外,该器件的12A连续漏极电流能力使其能够应对较高负载需求,适用于便携式设备、服务器电源、工业自动化设备等多种应用领域。
  其快速开关特性也降低了开关损耗,提升了整体能效。AONS66402 还具备较高的耐用性和可靠性,符合AEC-Q101汽车级标准,可广泛应用于汽车电子系统中。

应用

AONS66402 主要应用于以下领域:
  1. 电源管理:如DC-DC转换器、负载开关、同步整流器等,用于提高电源转换效率并减小系统体积。
  2. 电机驱动:适用于无刷直流电机、步进电机驱动电路,提供高效的功率开关功能。
  3. 电池管理系统:用于电池充放电控制和保护电路,实现高效的能量管理。
  4. 工业自动化:在PLC、伺服驱动器和工业电源中提供可靠的功率控制解决方案。
  5. 汽车电子:符合汽车级标准,适用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和其他车载功率管理系统。
  6. 消费类电子产品:如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的电源管理模块。

替代型号

AON6640, AO4614, Si7461DP, FDMF6830C

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AONS66402参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥5.70294卷带(TR)
  • 系列AlphaSGT?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)49A(Ta),85A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.6 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)105 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5570 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)6.2W(Ta),119W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线