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AONS660A70F 发布时间 时间:2025/4/30 20:32:50 查看 阅读:2

AONS660A70F 是一款由 Alpha and Omega Semiconductor (AOS) 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制程工艺设计,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于各种高效能电源转换应用。其封装形式为 LFPAK56E(DDPAK),适合表面贴装技术(SMT)以提高生产效率和可靠性。
  该 MOSFET 的主要特点包括超低的导通电阻(Rds(on))、高雪崩耐量以及优化的栅极电荷设计,使其在高频开关应用中表现出色。

参数

最大漏源电压:70V
  连续漏极电流:69A
  导通电阻:0.48mΩ
  栅极电荷:125nC
  总栅极电荷:130nC
  开关频率:高达 1MHz
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:LFPAK56E(DDPAK)

特性

AONS660A70F 提供了非常低的导通电阻,能够显著降低传导损耗,从而提高系统的整体效率。此外,该器件还具备快速开关能力,有助于减少开关损耗。
  它采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,能够在高频工作条件下维持高效性能。同时,该芯片具有强大的热管理能力,可以确保长时间稳定运行。
  AONS660A70F 还支持高温操作环境,能够在极端温度范围内保持稳定的电气性能。这使得它非常适合用于汽车电子、工业设备以及其他需要高可靠性的应用场景。

应用

这款功率 MOSFET 广泛应用于 DC-DC 转换器、同步整流电路、电机驱动、太阳能逆变器以及 LED 照明等领域。
  在计算机和通信设备中,它可以作为高效的功率开关使用,满足这些设备对高性能电源管理的需求。
  此外,在电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统中,AONS660A70F 也发挥了重要作用,提供可靠的电力传输与控制功能。

替代型号

AONS660A60F, AONS628A70F

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AONS660A70F参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥6.40078卷带(TR)
  • 系列aMOS5?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)700 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.7A(Ta),9.6A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)660 毫欧 @ 2.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)14.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)900 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)4.1W(Ta),138W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN-EP(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerVDFN