时间：2025/12/23 14:13:42
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AONS62614是一款高性能、低导通电阻的P沟道功率MOSFET，由Alpha & Omega Semiconductor（万国半导体）生产。该器件采用先进的工艺制造，具有出色的开关特性和较低的导通损耗，适用于各种电源管理应用，例如负载开关、DC-DC转换器、电池保护电路以及电机驱动等场景。
此MOSFET的封装形式为SOT-23，非常适合对空间要求较高的紧凑型设计。其高可靠性和优良的电气性能使其成为众多便携式电子设备的理想选择。
最大漏源电压：50V
连续漏极电流：-3.8A
栅极电荷：9nC
导通电阻（Rds(on)）：75mΩ（典型值，在Vgs=-4.5V时）
工作结温范围：-55℃至150℃
封装类型：SOT-23
AONS62614的主要特点是具备非常低的导通电阻，从而显著降低传导损耗并提升效率。此外，其小型化封装和良好的热性能也使其在高密度电路板布局中表现出色。
该MOSFET还拥有快速的开关速度，这有助于减少开关损耗并在高频应用中保持高效率。同时，其稳健的设计确保了在严苛环境下的长期可靠性。
另外，AONS62614支持较宽的工作电压范围，可以适应多种输入电压条件，进一步增强了其通用性。
AONS62614广泛应用于消费类电子产品领域，如智能手机和平板电脑中的负载开关、USB充电端口保护、锂电池管理系统以及音频放大器供电控制等。
此外，它还可用于工业自动化设备中的信号切换、LED驱动电路以及通信基站中的辅助电源模块等场景。
由于其优秀的性能指标和灵活性，这款MOSFET成为了许多工程师在设计高效、紧凑型电源解决方案时的首选元件。
AO3401A
