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AONS36348 发布时间 时间:2025/4/24 14:47:56 查看 阅读:57

AONS36348 是一款由 Alpha and Omega Semiconductor (万国半导体) 生产的 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种功率转换和负载开关应用。AONS36348 通常用于需要高效能和低功耗的电路设计中。

参数

漏源极电压(Vds):30V
  连续漏极电流(Id):17A
  导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型值,在 Vgs=10V 下)
  栅极电荷(Qg):22nC
  总栅极电荷(Qg_total):35nC
  开关时间:ton=9ns,toff=19ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃

特性

AONS36348 具有非常低的导通电阻,这使得它在高电流应用中表现出色,并能够显著减少传导损耗。此外,该 MOSFET 的快速开关性能有助于降低开关损耗,从而提升整体效率。
  其紧凑的封装形式(如 LFPAK 或 SO8)使其非常适合空间受限的设计环境。同时,AONS36348 的高雪崩能力和鲁棒性保证了在严苛条件下也能稳定运行。
  由于其优异的电气特性和可靠性,这款 MOSFET 在消费电子、工业设备及通信电源等领域得到了广泛应用。

应用

主要应用于 DC-DC 转换器、同步整流电路、负载开关以及电机驱动等场景。它也常被用作功率级开关元件,在笔记本电脑适配器、服务器电源和电信设备电源模块中发挥重要作用。
  此外,由于其低 Rds(on),该器件还适合电池管理系统 (BMS) 和汽车电子中的大电流负载切换任务。

替代型号

AONR36348, IRF3710, FDP047N06L

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AONS36348参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥1.92782卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)24A(Ta),50A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)7 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)20 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)800 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)6.2W(Ta),26W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线