AONS36348 是一款由 Alpha and Omega Semiconductor (万国半导体) 生产的 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种功率转换和负载开关应用。AONS36348 通常用于需要高效能和低功耗的电路设计中。
漏源极电压(Vds):30V
连续漏极电流(Id):17A
导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型值,在 Vgs=10V 下)
栅极电荷(Qg):22nC
总栅极电荷(Qg_total):35nC
开关时间:ton=9ns,toff=19ns
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
AONS36348 具有非常低的导通电阻,这使得它在高电流应用中表现出色,并能够显著减少传导损耗。此外,该 MOSFET 的快速开关性能有助于降低开关损耗,从而提升整体效率。
其紧凑的封装形式(如 LFPAK 或 SO8)使其非常适合空间受限的设计环境。同时,AONS36348 的高雪崩能力和鲁棒性保证了在严苛条件下也能稳定运行。
由于其优异的电气特性和可靠性,这款 MOSFET 在消费电子、工业设备及通信电源等领域得到了广泛应用。
主要应用于 DC-DC 转换器、同步整流电路、负载开关以及电机驱动等场景。它也常被用作功率级开关元件,在笔记本电脑适配器、服务器电源和电信设备电源模块中发挥重要作用。
此外,由于其低 Rds(on),该器件还适合电池管理系统 (BMS) 和汽车电子中的大电流负载切换任务。
AONR36348, IRF3710, FDP047N06L