时间：2025/5/23 13:05:45
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AONS36333 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，由 Alpha and Omega Semiconductor (万代半导体) 公司生产。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种电源管理应用。
AONS36333 的封装形式为 LFPAK56D（也称为 D2PAK-7），这种封装能够提供良好的散热性能和电气连接能力。该芯片特别适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等场景。
最大漏源电压(Vds)：40V
最大栅源电压(Vgs)：±12V
连续漏极电流(Id)：82A
导通电阻(Rds(on))：1.2mΩ（在 Vgs=10V 时）
栅极电荷(Qg)：48nC
输入电容(Ciss)：3220pF
反向恢复时间(trr)：29ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
AONS36333 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，可有效降低功率损耗并提高效率。
2. 快速开关性能，适合高频应用环境。
3. 高电流承载能力，支持大功率设计需求。
4. 紧凑且高效的封装形式，有助于简化 PCB 布局。
5. 广泛的工作温度范围，确保在极端条件下仍能稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
AONS36333 可广泛应用于以下领域：
1. 服务器和通信设备中的电源管理。
2. 笔记本电脑及平板电脑适配器。
3. 电动工具和家用电器中的电机控制。
4. 各类 DC-DC 转换器。
5. 开关电源(SMPS)。
6. 负载开关与保护电路。
7. 工业自动化系统中的功率转换模块。
AONQ36333
