时间：2025/6/22 2:35:35
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AONS36304是一款由Alpha and Omega Semiconductor（万代半导体）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于消费电子、计算机及外设、通信设备等领域的电源管理应用。
该芯片的主要特点是其极低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。同时，它具备良好的热稳定性和可靠性，能够在广泛的温度范围内正常工作。
型号：AONS36304
VDS（漏源电压）：30V
RDS(on)（导通电阻）：1.5mΩ（典型值，25°C下）
IDS（连续漏电流）：178A
栅极电荷：39nC
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-263-3（D2PAK）
AONS36304拥有非常低的导通电阻（RDS(on)），这使其成为高效的功率转换解决方案的理想选择。
它的高电流处理能力（最大178A）能够满足高性能系统的需求，同时具备较小的封装尺寸，适合空间受限的应用场景。
该器件还具有快速开关性能，可有效降低开关损耗。
此外，其宽泛的工作温度范围确保了在极端环境下的稳定性与可靠性。
AONS36304广泛应用于各种功率转换场合，例如DC-DC转换器、负载点转换器（POL）、电机驱动器以及电池管理系统（BMS）。
它可以作为同步整流管使用，以提升转换效率。
此外，该器件也适用于消费类电子产品中的电源适配器和充电器设计，尤其是在需要高效能和高可靠性的场合。
AONP36304, IRF3710, FDP5570N
