时间：2025/5/13 9:34:07
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AONR36368是一款由Alpha and Omega Semiconductor（万代半导体）推出的增强型P沟道功率MOSFET。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻和高效率的特点，广泛适用于电源管理、电机驱动以及负载开关等应用领域。
该MOSFET采用了逻辑电平设计，使其能够与较低电压的控制器兼容，例如常见的3.3V或5V系统。其封装形式为SO-8，适合表面贴装技术（SMT），并且符合RoHS标准。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：-20A
导通电阻：9mΩ（典型值，在Vgs=-4.5V时）
栅极电荷：17nC（典型值）
反向恢复时间：无（由于是MOSFET）
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装：SO-8
AONR36368具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，可以有效降低功率损耗，提升系统效率。
2. 高速开关性能，得益于较小的栅极电荷，能够实现快速开关操作。
3. 良好的热稳定性，在高电流和高温环境下表现优异。
4. 宽工作温度范围，适应各种恶劣环境条件。
5. 符合RoHS环保要求，支持绿色设计。
6. SO-8封装，具备良好的散热特性和较高的可靠性。
AONR36368适用于多种电源管理和控制场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC/DC转换器中的高端开关。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. 电机驱动中的逆变桥开关。
5. 工业自动化设备中的电源切换。
6. 消费类电子产品中的功率管理模块。
AONR36366, AONR36364, IRFR5305
