时间：2025/5/20 17:17:18
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AONR36329是一款由Alpha & Omega Semiconductor（AOS）推出的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种功率转换和负载切换应用。其封装形式为SOT-23-3L，非常适合空间受限的设计。AONR36329的额定电压为30V，广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.7A
导通电阻：125mΩ
栅极电荷：4nC
总电容：25pF
工作温度范围：-55℃至150℃
AONR36329具备卓越的电气性能和可靠性，主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 小型化的SOT-23-3L封装设计，能够有效节省PCB空间。
3. 快速开关能力，支持高频操作，满足现代电源管理需求。
4. 高雪崩能量耐受性，确保在异常条件下仍能正常运行。
5. 符合RoHS标准，环保且易于集成到绿色设计方案中。
AONR36329的应用领域十分广泛，主要包括：
1. 移动设备中的负载开关。
2. 计算机外设及消费类电子产品的电源管理。
3. 便携式电子产品中的电池保护电路。
4. LED驱动器和DC-DC转换器中的功率级开关。
5. 各种工业自动化和控制系统中的信号切换功能。
AOD36329, AO36329
