AONR20334C 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) 推出的 N 沟道增强型 MOSFET。这款功率 MOSFET 主要应用于需要高效能和低导通电阻的场景,例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及各种电源管理电路。其封装形式为 LFPAK56E(也称为 D2PAK-3),具备出色的散热性能和较低的寄生电感。该器件的工作电压范围为 -0.3V 至 +30V,并且具有快速开关速度,能够满足高频率应用的需求。
AONR20334C 的设计目标是提供更低的导通电阻以减少功耗,同时保持较高的电流承载能力,非常适合便携式电子设备、通信系统及工业控制等领域。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:180A
导通电阻:0.9mΩ
栅极电荷:270nC
总电容:470pF
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:LFPAK56E
AONR20334C 的主要特性包括超低导通电阻(典型值为 0.9mΩ),这使得它在高电流应用中能够显著降低传导损耗。此外,它的栅极电荷较小(270nC),有助于实现更快的开关速度并减少开关损耗。
该器件采用了先进的铜夹片技术,从而增强了热性能和电气连接的可靠性。LFPAK56E 封装进一步优化了其在 PCB 上的布局灵活性,同时提供了良好的散热路径。
AONR20334C 还具备强大的雪崩能力和 ESD 防护功能,确保其能够在恶劣环境下稳定运行。由于其宽广的工作温度范围(-55°C 至 +175°C),因此适合多种工业级和汽车级应用场景。
AONR20334C 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电动工具中的电机驱动
4. 电池管理系统(BMS)
5. 电信基础设施中的负载开关
6. 工业自动化设备中的功率控制
7. 高效同步整流器
8. 电动汽车(EV)及混合动力汽车(HEV)的电力电子模块