AONH36334 时间：2025/4/3 9:58:54 阅读：4

AONH36334 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor（万代半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的制程技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电源管理应用。其封装形式为 LFPAK56 (PowerSO8)，能够提供出色的散热性能和电气特性。
　　AONH36334 的典型应用场景包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护等。它以其高效的性能表现而被广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制领域。

参数

最大漏源电压：30V
　　最大栅源电压：±20V
　　持续漏极电流：29A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2mΩ（典型值，Vgs=10V时）
　　总栅极电荷：78nC（典型值）
　　输入电容：3080pF（典型值）
　　工作温度范围：-55℃至+175℃

特性

1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于降低传导损耗并提升系统效率。
　　2. 高电流承载能力，使其适合大功率应用环境。
　　3. 快速开关特性，可以减少开关损耗并提高工作效率。
　　4. 优秀的热性能，确保在高温条件下稳定运行。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
　　6. 小型化的 LFPAK56 封装，节省 PCB 空间同时具备良好的散热表现。

应用

1. 开关模式电源（SMPS），如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
　　2. 同步整流电路中的主开关或续流二极管替代方案。
　　3. 电池管理系统中的充放电路径控制。
　　4. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
　　5. 汽车电子系统的负载切换与保护功能。
　　6. 高效能计算设备内的电源分配网络优化设计。