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AON7502 发布时间 时间:2025/5/7 12:04:06 查看 阅读:7

AON7502 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor (万国半导体) 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制程技术制造,具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能,适用于多种电源管理应用。AON7502 的封装形式为 SOT-23-3L 小型表面贴装封装,非常适合对空间有严格要求的设计场景。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:4.1A
  导通电阻(Rds(on)):70mΩ
  栅极电荷:6nC
  总电容:350pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

AON7502 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 有助于降低功耗并提高系统效率。
  2. 快速开关特性使其适合高频开关应用,减少开关损耗。
  3. 小型化封装设计 (SOT-23-3L),可节省 PCB 布局空间。
  4. 优异的热稳定性,在高温环境下仍能保持可靠的性能。
  5. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的耐受性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代电子设备的要求。

应用

AON7502 广泛应用于以下领域:
  1. DC-DC 转换器中的同步整流 MOSFET。
  2. 开关模式电源 (SMPS) 的初级或次级侧开关。
  3. 电池保护电路中作为负载开关。
  4. 消费类电子产品中的电源管理模块。
  5. 电机驱动控制中的功率级开关。
  6. 便携式设备中的高效功率转换解决方案。
  7. LED 照明系统的调光和驱动控制。
  8. 各种需要小体积、高效率功率开关的应用场景。

替代型号

AON7500, AON7501, AO3400, FDN340P

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AON7502参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格5,000 : ¥2.01714卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)21A(Ta),30A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4.7 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)22 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1022 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.1W(Ta),31W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN-EP(3x3)
  • 封装/外壳8-PowerVDFN