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AON7466 发布时间 时间:2025/5/28 21:37:42 查看 阅读:19

AON7466是一款由Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于各种高效能开关应用。
  此MOSFET主要针对消费电子、计算机外设以及通信系统中的负载开关、DC-DC转换器等场景设计。其小型化的封装形式使其特别适合空间受限的应用环境。

参数

型号:AON7466
  类型:N-Channel MOSFET
  Vds(漏源极电压):30V
  Rds(on)(导通电阻):2.8mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  Id(持续漏电流):52A
  Vgs(栅源极电压):±20V
  封装形式:LFPAK56D (PowerSO8)
  工作温度范围:-55°C to +150°C
  栅极电荷:19nC(典型值)

特性

AON7466具有非常低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。同时,它具备快速的开关速度,能够降低开关损耗,从而提升整体性能。
  此外,该器件采用了坚固耐用的设计,能够在较宽的工作温度范围内稳定运行,并且支持较高的漏极电流,适用于大电流应用场景。
  其紧凑的封装形式也有助于简化PCB布局,节省空间,非常适合现代电子产品的小型化需求。

应用

AON7466广泛应用于需要高效能和小尺寸解决方案的场合。常见的应用领域包括:
  1. 笔记本电脑及平板电脑中的负载开关。
  2. 消费类电子产品的DC-DC转换器。
  3. 电信设备中的电源管理模块。
  4. 各种适配器和充电器中的同步整流电路。
  5. 电池管理系统中的保护电路。
  AON7466凭借其优异的电气特性和热性能,在这些应用中提供了卓越的效率和可靠性。

替代型号

AON7467, AON7468

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AON7466参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格5,000 : ¥1.13776卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)15A(Ta),30A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)7.5 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)30 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1150 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.1W(Ta),25W(Tc)
  • 工作温度-50°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN-EP(3x3)
  • 封装/外壳8-PowerVDFN