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AON7460 发布时间 时间:2025/5/16 14:19:04 查看 阅读:11

AON7460是一款由Alpha and Omega Semiconductor(万代半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制程工艺制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于需要高效功率转换的应用场景。AON7460的封装形式为DFN5x6-8L,适合用于便携式设备和其他空间受限的设计。
  这款MOSFET主要针对消费电子、通信以及工业应用中的负载开关、DC-DC转换器和电池管理等电路。其优异的电气性能和紧凑的封装使其成为许多设计的理想选择。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻:1.4mΩ
  栅极电荷:11nC
  总电容:1150pF
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

AON7460具有非常低的导通电阻(Rds(on)),这有助于减少功率损耗并提高系统效率。此外,其快速开关特性和较低的栅极电荷使得它在高频应用中表现出色。同时,DFN5x6-8L封装不仅提供了良好的散热性能,还支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产。
  此器件还具备出色的雪崩能力和抗静电能力(ESD Protection),增强了其在恶劣环境下的可靠性。这些特点使AON7460成为多种功率管理应用中的关键元件。

应用

AON7460广泛应用于笔记本电脑、平板电脑及智能手机的电源管理系统中,例如负载开关、同步整流、降压或升压型DC-DC转换器。此外,它也常被用于USB充电端口保护、LED驱动器以及其他需要高效功率控制的场合。
  由于其高电流承载能力和低功耗特性,AON7460同样适用于服务器、网络设备以及各类消费类电子产品中的电源解决方案。

替代型号

AON7461L, AON7462

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AON7460产品

AON7460参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)300V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C830 毫欧 @ 1.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs8.2nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds380pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-VDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装8-DFN-EP(3x3)
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1313-6