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AON7416 发布时间 时间:2025/4/29 10:02:04 查看 阅读:1

AON7416是一款由Alpha and Omega Semiconductor(万代半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制程工艺制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于消费电子、通信设备以及工业应用中的高效能功率转换和负载开关场景。
  这款MOSFET采用了LFPAK56封装形式(也称D2PAK或TO-263),具备出色的散热性能和紧凑的尺寸设计,非常适合对空间敏感的应用场合。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:38A
  导通电阻:1.2mΩ
  栅极电荷:37nC
  开关时间:ton=9ns, toff=17ns
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

AON7416的主要特性包括超低的导通电阻(Rds(on)仅为1.2mΩ),能够显著降低导通损耗,提升整体系统效率。同时,其快速的开关速度使得它在高频开关应用中表现出色,例如DC-DC转换器和同步整流电路。此外,该器件的低栅极电荷和优化的Qg特性有助于减少开关损耗。
  AON7416还具有优异的热稳定性和可靠性,适合长时间运行的严苛环境。通过采用LFPAK56封装,该器件进一步提升了电气性能并简化了PCB布局设计。

应用

AON7416广泛应用于各种需要高效功率转换的领域,包括但不限于笔记本电脑适配器、平板充电器、服务器电源模块、电动工具电池管理系统以及LED驱动电路等。
  在这些应用场景中,AON7416通常作为主功率开关元件或者同步整流元件使用,帮助实现更高的能量转换效率和更小的解决方案尺寸。

替代型号

AON7414, AON7415

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AON7416产品

AON7416参数

  • 标准包装5,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.5 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.7V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs32nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1900pF @ 15V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-VDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装8-DFN-EP(3x3)
  • 包装带卷 (TR)