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AON7410 发布时间 时间:2025/5/23 7:37:40 查看 阅读:16

AON7410是Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)推出的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用了先进的制程技术,具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能,适用于各种高效能功率转换应用。
  AON7410设计用于满足消费电子、通信设备以及工业应用中对高效率和小体积解决方案的需求。其封装形式通常为LFPAK56-2(兼容D2PAK),能够提供优异的散热性能,同时支持表面贴装工艺,便于自动化生产。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  导通电阻(Rds(on)):4.5 mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  击穿电压(BVDSS):30 V
  栅极阈值电压(Vgs(th)):1.2 V - 2.8 V
  连续漏极电流(Id):61 A
  总功耗(Pd):192 W
  工作结温范围:-55°C 至 +175°C
  封装:LFPAK56-2

特性

AON7410具备以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关特性,适合高频操作环境。
  3. 高雪崩能力,增强了器件在异常条件下的耐用性。
  4. 支持高密度表面贴装,节省PCB空间。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足全球法规要求。
  这些特性使得AON7410成为同步整流器、负载开关、DC-DC转换器以及电池保护电路的理想选择。

应用

AON7410广泛应用于以下领域:
  1. 消费类电子产品中的电源管理单元,如笔记本电脑适配器和手机充电器。
  2. 通信设备中的电源模块,包括基站电源和网络交换机供电。
  3. 工业控制系统的电机驱动和逆变器。
  4. 汽车电子中的DC-DC转换器和LED驱动电路。
  5. 任何需要低损耗、高性能MOSFET的应用场景。

替代型号

AON7411
  IRLB8721
  FDP16N03L

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AON7410参数

  • 标准包装5,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 毫欧 @ 8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs12nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds660pF @ 15V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-VDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装8-DFN-EP(3x3)
  • 包装带卷 (TR)