AON7410是Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)推出的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用了先进的制程技术,具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能,适用于各种高效能功率转换应用。
AON7410设计用于满足消费电子、通信设备以及工业应用中对高效率和小体积解决方案的需求。其封装形式通常为LFPAK56-2(兼容D2PAK),能够提供优异的散热性能,同时支持表面贴装工艺,便于自动化生产。
类型:N-Channel MOSFET
导通电阻(Rds(on)):4.5 mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
击穿电压(BVDSS):30 V
栅极阈值电压(Vgs(th)):1.2 V - 2.8 V
连续漏极电流(Id):61 A
总功耗(Pd):192 W
工作结温范围:-55°C 至 +175°C
封装:LFPAK56-2
AON7410具备以下显著特点:
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关特性,适合高频操作环境。
3. 高雪崩能力,增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 支持高密度表面贴装,节省PCB空间。
5. 符合RoHS标准,环保且满足全球法规要求。
这些特性使得AON7410成为同步整流器、负载开关、DC-DC转换器以及电池保护电路的理想选择。
AON7410广泛应用于以下领域:
1. 消费类电子产品中的电源管理单元,如笔记本电脑适配器和手机充电器。
2. 通信设备中的电源模块,包括基站电源和网络交换机供电。
3. 工业控制系统的电机驱动和逆变器。
4. 汽车电子中的DC-DC转换器和LED驱动电路。
5. 任何需要低损耗、高性能MOSFET的应用场景。
AON7411
IRLB8721
FDP16N03L