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AON7264E 发布时间 时间:2025/12/23 22:02:56 查看 阅读:18

AON7264E是东芝(Toshiba)公司推出的一款N沟道增强型MOSFET晶体管。它采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和高电流承载能力等特性,适用于各种高效能功率转换应用。
  AON7264E的封装形式为TO-252 (DPAK),能够满足紧凑型设计需求,并且其出色的电气性能使其成为许多电路设计中的理想选择。该器件广泛用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等场景。

参数

最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大漏极电流(Id):8A
  导通电阻(Rds(on)):10mΩ(在Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):1.3W(在Ta=25℃时)
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

AON7264E是一款高性能的MOSFET,具有以下特点:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),可减少导电损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关速度,有助于降低开关损耗。
  3. 高雪崩击穿能量,增强了器件在异常条件下的耐用性。
  4. 小型封装,节省PCB空间。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅。
  6. 适合高频应用,能够稳定运行于各类复杂的电子设备中。

应用

AON7264E主要应用于以下几个领域:
  1. 开关电源(Switch Mode Power Supplies, SMPS),例如适配器和充电器。
  2. 各种DC-DC转换器,包括降压、升压及反激式拓扑结构。
  3. 负载开关,用于动态控制不同负载的供电状态。
  4. 电机驱动,适用于小型直流电机或步进电机控制。
  5. 电池保护电路,防止过充过放现象发生。
  6. 固态继电器和其他需要高性能开关的应用场景。

替代型号

AOD491E,AO4912

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AON7264E参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格5,000 : ¥2.02842卷带(TR)
  • 系列AlphaSGT?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)28A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)9.5 毫欧 @ 17A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)25 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1100 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)27.5W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN-EP(3x3)
  • 封装/外壳8-PowerVDFN