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AON7264C 发布时间 时间:2025/4/24 16:06:46 查看 阅读:7

AON7264C是Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体)推出的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用TOLL封装,具有低导通电阻和高电流处理能力的特点,适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及各种电源管理应用。AON7264C在功率密度和效率方面表现出色,适用于要求高效能和小尺寸解决方案的场景。
  该MOSFET的设计使其能够在高频条件下保持较低的开关损耗,同时具备良好的热性能,从而提高整体系统效率。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:135A
  导通电阻(典型值):1.3mΩ
  栅极电荷(典型值):89nC
  总电容(输入电容):4850pF
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

1. 极低的导通电阻,有助于降低导通损耗,提高效率。
  2. 高电流承载能力,使其能够满足大功率应用需求。
  3. 优化的栅极电荷设计,降低了开关损耗并提高了开关速度。
  4. TOLL封装形式提供了出色的散热性能,并且兼容自动光学检测(AOI)。
  5. 广泛的工作温度范围使得它在极端环境下依然可靠运行。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

1. 服务器和通信电源中的功率转换模块。
  2. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的电机控制器。
  3. 工业设备中的大电流负载开关。
  4. 太阳能逆变器以及其他可再生能源系统的功率调节。
  5. 各种AC-DC和DC-DC转换器,尤其是在需要高效率和紧凑设计的应用中。
  6. 电池管理系统(BMS),用于保护电池组免受过流或短路损害。

替代型号

AON7262C, AON7263C

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AON7264C参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格5,000 : ¥2.22087卷带(TR)
  • 系列AlphaSGT?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)13A(Ta),24A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)13.2 毫欧 @ 13A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)21 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)895 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)4.1W(Ta),24W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN-EP(3x3)
  • 封装/外壳8-PowerVDFN