AON6850 时间：2025/5/22 10:11:14 阅读：2

AON6850是东芝(Toshiba)公司推出的一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用TO-263-3L封装形式，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适合用于开关电源、DC-DC转换器、负载切换以及电机驱动等应用领域。
　　这款MOSFET的主要特点是其低导通电阻(Rds(on))特性，在典型工作条件下能够显著降低功率损耗，从而提高整体效率。此外，AON6850还具备快速开关速度，有助于减少开关损耗并优化高频电路性能。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：40A
　　导通电阻：3.5mΩ(在Vgs=10V时)
　　栅极电荷：46nC
　　总功耗：129W
　　工作温度范围：-55℃ to +175℃

特性

AON6850拥有出色的电气性能，包括低导通电阻和高电流承载能力，这些特性使其成为高效功率管理的理想选择。
　　低Rds(on)值可以有效降低传导损耗，特别是在大电流应用场景下表现更为明显。
　　该器件的快速开关速度也使其非常适合高频开关应用，例如开关电源和DC-DC转换器等。
　　AON6850的封装形式TO-263-3L提供了良好的散热性能，同时简化了印刷电路板布局设计过程。
　　由于其宽泛的工作温度范围，AON6850能够在极端环境条件下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子以及其他对可靠性要求较高的领域。

应用

AON6850广泛应用于各种电力电子设备中，主要包括以下几类：
　　1. 开关电源(SMPS)：利用其低导通电阻特性来提高转换效率，减少能量损失。
　　2. DC-DC转换器：支持高效的电压调节功能，适用于便携式设备及嵌入式系统。
　　3. 电机驱动：提供强大的电流输出能力，确保电机平稳运转。
　　4. 负载切换：实现快速可靠的电路保护与切换操作。
　　5. 汽车电子：如电动助力转向系统、制动控制系统等需要高性能功率器件支持的应用场景。