AON6816是一款由Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用Trench工艺制造,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于多种功率转换应用场合。
其封装形式为SOT-23,使其非常适合空间受限的设计环境。由于其出色的电气性能和紧凑的尺寸,AON6816广泛用于消费电子、计算机外设以及通信设备等领域。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:3.9A
导通电阻:150mΩ
栅极电荷:7nC
总电容:140pF
工作温度范围:-55℃ to +150℃
AON6816具备以下关键特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),从而减少传导损耗并提高效率。
2. 高速开关能力,得益于较小的栅极电荷和输出电荷,适合高频应用。
3. 小型化的SOT-23封装,节省PCB空间。
4. 符合RoHS标准,环保设计。
5. 具有良好的热稳定性和可靠性,适应较宽的工作温度范围。
6. 能够承受一定的雪崩能量,提供额外的安全裕度。
AON6816主要应用于以下领域:
1. 各类DC-DC转换器中的同步整流功能。
2. 开关电源(SMPS)中的初级或次级侧开关元件。
3. 消费类电子产品如智能手机、平板电脑及笔记本电脑适配器内的负载开关。
4. 电池管理系统的充放电控制电路。
5. 电机驱动电路中的功率开关角色。
6. 便携式设备中的电源管理单元(PMU)相关部分。
AO3400
IRLML6402
FDMQ8207