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AON6816 发布时间 时间:2025/6/18 9:06:47 查看 阅读:4

AON6816是一款由Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用Trench工艺制造,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于多种功率转换应用场合。
  其封装形式为SOT-23,使其非常适合空间受限的设计环境。由于其出色的电气性能和紧凑的尺寸,AON6816广泛用于消费电子、计算机外设以及通信设备等领域。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:3.9A
  导通电阻:150mΩ
  栅极电荷:7nC
  总电容:140pF
  工作温度范围:-55℃ to +150℃

特性

AON6816具备以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),从而减少传导损耗并提高效率。
  2. 高速开关能力,得益于较小的栅极电荷和输出电荷,适合高频应用。
  3. 小型化的SOT-23封装,节省PCB空间。
  4. 符合RoHS标准,环保设计。
  5. 具有良好的热稳定性和可靠性,适应较宽的工作温度范围。
  6. 能够承受一定的雪崩能量,提供额外的安全裕度。

应用

AON6816主要应用于以下领域:
  1. 各类DC-DC转换器中的同步整流功能。
  2. 开关电源(SMPS)中的初级或次级侧开关元件。
  3. 消费类电子产品如智能手机、平板电脑及笔记本电脑适配器内的负载开关。
  4. 电池管理系统的充放电控制电路。
  5. 电机驱动电路中的功率开关角色。
  6. 便携式设备中的电源管理单元(PMU)相关部分。

替代型号

AO3400
  IRLML6402
  FDMQ8207

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AON6816参数

  • 现有数量3,000现货
  • 价格1 : ¥8.03000剪切带(CT)3,000 : ¥3.41242卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 N 沟道(双)共漏
  • FET 功能逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss)30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)17A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)6.2 毫欧 @ 16A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)45nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1540pF @ 15V
  • 功率 - 最大值2.8W
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)