时间：2025/5/20 9:24:35
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AON6667是一款由Alpha & Omega Semiconductor（AOS）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用超薄封装设计，适用于低电压、高效率的开关应用场合。
这款MOSFET具有非常低的导通电阻（Rds(on)），能够在高频开关条件下提供出色的性能和效率。AON6667广泛用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域的电源管理电路中。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
最大连续漏极电流(Id)：15A
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ（在Vgs=10V时）
栅极电荷(Qg)：24nC
反向恢复时间(trr)：29ns
工作结温范围(Tj)：-55℃至+150℃
AON6667具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。
2. 超小型DFN5x6-8L封装，节省PCB空间，适合高密度设计。
3. 高速开关能力，支持高频开关应用。
4. 优异的热性能，有助于提升功率密度。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
6. 稳定可靠的电气性能，适用于多种负载条件。
AON6667非常适合以下应用领域：
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器。
2. 直流-直流转换器(DC-DC Converter)中的主开关或续流二极管替代元件。
3. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
4. 消费类电子产品中的电机驱动和负载切换。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 通信设备中的高效功率转换电路。
AOTF6667, AOI6667
