AON6661是一款由Alpha and Omega Semiconductor(AOS)公司生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和优秀的开关性能,适合应用于各种功率转换和电源管理场景。
其封装形式为SOT-23,这使得它非常适合空间受限的设计。AON6661在消费电子、通信设备以及工业控制等领域有着广泛的应用。
型号:AON6661
类型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源极击穿电压):30V
RDS(on)(导通电阻,最大值):75mΩ
IDS(连续漏极电流):4.8A
栅极电荷(Qg):10nC
封装:SOT-23
工作温度范围:-55℃ to 150℃
AON6661的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻RDS(on),能够有效降低功率损耗。
2. 高速开关能力,适用于高频应用环境。
3. 小巧的SOT-23封装,节省PCB空间。
4. 良好的热稳定性和可靠性,确保在极端温度条件下依然可以正常工作。
5. 符合RoHS标准,环保且支持无铅焊接工艺。
这些特性使AON6661成为便携式设备、负载开关、DC-DC转换器等应用的理想选择。
AON6661适用于以下应用领域:
1. 手机和平板电脑中的电源管理模块。
2. 笔记本电脑和超极本中的电池保护电路。
3. 固态硬盘(SSD)中的负载开关。
4. 工业自动化设备中的电机驱动和信号切换。
5. 网络通信设备中的功率级转换和管理。
由于其高效能和紧凑设计,AON6661在需要高效率和小尺寸解决方案的应用中表现出色。
AON6641
AON6681
AO3400
IRLML6401