AON6566是一款由Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制程技术制造,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于各种高效能电源管理应用。AON6566通常被用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护等场景。
该器件采用行业标准的小型封装设计,如SOT-23、DFN等,有助于减少PCB空间占用并提高功率密度。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:1.9A
导通电阻(典型值):45mΩ
栅极电荷:2.8nC
总电容:170pF
工作温度范围:-55℃ to +150℃
封装形式:SOT-23, DFN2x2-8
AON6566具有以下主要特性:
1. 低导通电阻:其典型的Rds(on)仅为45mΩ,可有效降低导通损耗。
2. 快速开关性能:较低的栅极电荷使得AON6566在高频开关应用中表现出色。
3. 高可靠性:通过了严格的测试流程,确保在恶劣环境下仍能保持稳定性能。
4. 小型化封装:支持多种小型封装形式,非常适合对空间敏感的设计。
5. 宽温范围:能够在-55℃至+150℃的工作温度范围内可靠运行,满足工业及汽车级应用需求。
AON6566广泛应用于以下领域:
1. 移动设备:包括智能手机、平板电脑及其他便携式电子设备中的电源管理模块。
2. 计算机与外设:例如USB接口保护、硬盘驱动器控制等。
3. 消费类电子产品:如电视、音响系统中的开关电路。
4. 工业控制:用于电机驱动、电源适配器、逆变器等场景。
5. 汽车电子:适用于车载充电器、LED照明以及各类传感器接口。
AOD6566, AONR6566, AO6566