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AON6566 发布时间 时间:2025/4/30 19:46:59 查看 阅读:19

AON6566是一款由Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制程技术制造,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于各种高效能电源管理应用。AON6566通常被用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护等场景。
  该器件采用行业标准的小型封装设计,如SOT-23、DFN等,有助于减少PCB空间占用并提高功率密度。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:1.9A
  导通电阻(典型值):45mΩ
  栅极电荷:2.8nC
  总电容:170pF
  工作温度范围:-55℃ to +150℃
  封装形式:SOT-23, DFN2x2-8

特性

AON6566具有以下主要特性:
  1. 低导通电阻:其典型的Rds(on)仅为45mΩ,可有效降低导通损耗。
  2. 快速开关性能:较低的栅极电荷使得AON6566在高频开关应用中表现出色。
  3. 高可靠性:通过了严格的测试流程,确保在恶劣环境下仍能保持稳定性能。
  4. 小型化封装:支持多种小型封装形式,非常适合对空间敏感的设计。
  5. 宽温范围:能够在-55℃至+150℃的工作温度范围内可靠运行,满足工业及汽车级应用需求。

应用

AON6566广泛应用于以下领域:
  1. 移动设备:包括智能手机、平板电脑及其他便携式电子设备中的电源管理模块。
  2. 计算机与外设:例如USB接口保护、硬盘驱动器控制等。
  3. 消费类电子产品:如电视、音响系统中的开关电路。
  4. 工业控制:用于电机驱动、电源适配器、逆变器等场景。
  5. 汽车电子:适用于车载充电器、LED照明以及各类传感器接口。

替代型号

AOD6566, AONR6566, AO6566

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AON6566参数

  • 现有数量0现货
  • 价格3,000 : ¥1.87607卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)29A(Ta),32A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)33 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1550 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)6W(Ta),25W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线