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AON6548 发布时间 时间:2025/5/8 13:53:24 查看 阅读:6

AON6548是东芝(Toshiba)生产的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它主要应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等场景。AON6548以其低导通电阻(Rds(on))、高电流承载能力和快速开关速度而著称,能够有效降低功耗并提高系统效率。
  该器件采用小型封装形式(如VSON8),非常适合空间受限的应用环境。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±12V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻(Rds(on)):2.8mΩ(典型值,Vgs=10V时)
  总功耗:1.7W
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

AON6548具备极低的导通电阻,可显著减少传导损耗,从而提升整体能效。
  其高电流处理能力使其适用于需要大电流输出的场合。
  该器件具有较低的输入电容和栅极电荷,确保了快速的开关性能,减少了开关损耗。
  AON6548采用无铅和符合RoHS标准的封装,适合环保要求严格的现代电子设备设计。
  VSON8封装有助于减小PCB板面积,满足小型化设计需求。

应用

AON6548广泛应用于各种功率转换电路中,包括但不限于:
  笔记本电脑适配器及充电器中的同步整流;
  电信设备中的DC-DC转换模块;
  汽车电子系统中的负载开关与电机控制;
  消费类电子产品中的电源管理单元;
  工业自动化领域中的开关电源设计。

替代型号

AOTF6548, AOD6548

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AON6548参数

  • 现有数量0现货
  • 价格3,000 : ¥4.91996卷带(TR)
  • 系列AlphaMOS
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)52A(Ta),85A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.8 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)90 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4290 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)7.4W(Ta),83W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线