AON6516 时间：2025/8/2 7:52:03 阅读：22

AON6516是一款由Alpha and Omega Semiconductor（AOS）生产的高性能N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率、高功率密度和快速开关性能的电力电子系统中。这款MOSFET采用先进的Trench沟槽技术，提供了极低的导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适合用于DC-DC转换器、电源管理、电机控制以及电池供电设备等应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压(Vds)：30V
　　栅极-源极电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：100A
　　漏极功耗(Pd)：120W
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　存储温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8

特性

AON6516具有多项卓越的技术特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻Rds(on)在4.5V栅极驱动电压下仅为4.3毫欧（典型值），这大大降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，从而在高频开关应用中表现优异。
　　其次，AON6516采用先进的Trench沟槽结构，提高了电流密度并优化了热管理性能，确保器件在高负载条件下仍能保持稳定运行。其最大漏极电流在25°C时可达100A，具备良好的过载承受能力。
　　再者，该MOSFET的栅极氧化层具有较高的耐用性，支持±20V的栅极-源极电压，提升了在复杂电磁环境下的可靠性。同时，AON6516的封装设计（PowerPAK SO-8）具备优异的热传导性能，有助于快速散热，延长器件寿命。
　　最后，AON6516的工作温度范围为-55°C至175°C，适用于工业级和汽车级应用环境，表现出良好的稳定性和耐久性。

应用

AON6516因其出色的电气性能和热管理能力，被广泛应用于多个领域。在电源管理方面，该器件常用于高效DC-DC转换器、同步整流器以及负载开关，能够有效提高转换效率并减小电路体积。在汽车电子系统中，AON6516可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电机控制器等关键模块，提供高可靠性和高效能的表现。
　　此外，该MOSFET也适用于工业自动化设备中的电机驱动和电源模块，支持高功率密度设计。在消费类电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和高性能游戏设备，AON6516可用于电池管理系统和电源适配器，提升整体能效和电池续航能力。其在新能源领域的应用也日益广泛，例如太阳能逆变器和储能系统的功率控制模块。