时间：2025/5/8 12:25:41
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AON6502是一款由Alpha & Omega Semiconductor（AOS）公司生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TOLL封装形式，适用于需要低导通电阻和高效率的应用场景。
AON6502主要特点在于其超低的导通电阻（Rds(on)），这使其在功率转换、负载开关、DC-DC转换器以及其他高效能电源管理应用中表现出色。此外，其高雪崩能力和出色的热性能也使得该MOSFET能够在严苛的工作条件下稳定运行。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：194A
导通电阻：0.7mΩ
栅极电荷：128nC
总电容（Ciss）：5130pF
工作温度范围：-55℃ to 175℃
AON6502具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on) = 0.7mΩ at Vgs = 10V），可有效减少传导损耗。
2. 高电流处理能力，支持高达194A的连续漏极电流。
3. TOLL封装提供了卓越的热性能和电气性能，适合高密度设计。
4. 良好的雪崩能力确保器件在异常条件下也能可靠工作。
5. 宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +175°C）使其适用于各种环境下的应用。
6. 符合RoHS标准，环保且满足现代电子设备的合规性要求。
AON6502广泛应用于以下领域：
1. 高效DC-DC转换器及同步整流应用。
2. 大功率负载开关设计。
3. 汽车电子系统中的功率管理模块。
4. 工业电机驱动及逆变器控制。
5. 服务器和通信设备中的电源管理系统。
6. 各类需要高电流、低损耗的功率切换场景。
AOTF6502, AOZ6502
