AON6413 时间：2025/5/10 17:49:10 阅读：2

AON6413是Alpha & Omega Semiconductor（万代半导体）推出的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制程工艺制造，具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力等特点，适合应用于各种功率转换和电源管理场景。
　　其封装形式为SOT-23-3L，这种小型化封装使其非常适合空间受限的设计环境。AON6413广泛应用于消费电子、通信设备、计算机及外设等领域中的负载开关、DC-DC转换器、LED驱动以及电池保护等电路中。

参数

最大漏源电压：30V
　　最大栅源电压：±8V
　　连续漏极电流：2.5A
　　导通电阻：95mΩ（典型值，在Vgs=4.5V时）
　　栅极电荷：3.8nC（典型值）
　　开关速度：非常快
　　工作温度范围：-55℃至150℃

特性

AON6413的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻Rds(on)，在Vgs=4.5V条件下仅为95mΩ，能够显著降低传导损耗，提高系统效率。
　　2. 小尺寸SOT-23-3L封装设计，节省PCB板空间，便于布局。
　　3. 快速的开关性能，适用于高频应用场合，例如同步整流或降压转换器。
　　4. 宽广的工作温度范围，从-55℃到150℃，确保在极端环境下的可靠性。
　　5. 具备出色的雪崩能力和抗静电能力（ESD），增强了器件的鲁棒性。

应用

AON6413适合多种应用领域，包括但不限于以下场景：
　　1. 消费类电子产品中的负载开关控制，如手机、平板电脑和其他便携式设备。
　　2. 各种类型的DC-DC转换器，尤其是需要高效能和小体积解决方案的设计。
　　3. LED驱动电路，用于照明产品中以实现精确的电流调节。
　　4. 电池保护和管理系统，防止过流或短路现象发生。
　　5. 通信设备中的信号切换和功率分配网络。
　　AON6413封装形式，在这些应用中表现出色，同时还能满足严格的能耗标准要求。