时间：2025/8/2 7:07:57
阅读：34
AON6404A是一款由Alpha and Omega Semiconductor（AOS）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的Trench技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于高效率和高功率密度的应用场景。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
漏极电流(Id)：28A（在25℃）
导通电阻(Rds(on))：6.2mΩ（最大值，在Vgs=10V时）
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：DFN5x6
AON6404A采用了先进的Trench技术，显著降低了导通电阻并提高了电流处理能力，从而在高频开关应用中表现出色。其低导通电阻可以有效降低导通损耗，提高系统效率。
该MOSFET的DFN5x6封装形式不仅提供了较小的尺寸以节省PCB空间，还具备良好的散热性能，适用于高功率密度的设计需求。封装底部带有散热焊盘，可有效提升热传导效率。
此外，AON6404A具有优异的雪崩击穿性能和抗过载能力，能够在恶劣的电气环境中稳定工作。其栅极设计优化了开关特性，减少了开关损耗，并提升了器件的可靠性。
该器件的栅源电压范围为±20V，具有较高的栅极驱动兼容性，适用于多种驱动电路设计。同时，其在高温环境下的稳定性能也表现出色，能够满足工业级和汽车电子应用的需求。
AON6404A广泛应用于电源管理领域，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动和电池管理系统等。其高效率和高功率密度的特性使其成为服务器电源、通信设备电源、工业自动化控制系统和消费类电子产品中的理想选择。
在DC-DC转换器中，AON6404A可用于同步整流拓扑，提供更高的效率和更低的功耗。在电机驱动应用中，该MOSFET能够承受较高的连续工作电流，保证电机的稳定运行。
由于其优异的热性能和小型化封装，AON6404A也常用于需要高功率密度的便携式设备和高密度电源模块设计中。此外，在电池管理系统中，该器件可用于充放电控制和电池保护电路，提供可靠的开关性能。
Si4410BDY-T1-GE3, FDS4410A, IRLR2905, AO4404
