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AON6368 发布时间 时间:2025/5/12 14:01:04 查看 阅读:7

AON6368是由Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)推出的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种高效能电源管理应用。AON6368的封装形式为DFN5x6-8,适合用于紧凑型设计,同时其优异的电气性能确保了在高电流和高频工作条件下的稳定性。
  该器件广泛应用于笔记本电脑、平板电脑、移动设备和其他便携式电子产品的电源管理电路中,如DC-DC转换器、负载开关和电池保护电路等。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:24A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷:29nC(典型值)
  输入电容:1600pF(典型值)
  开关速度:超快
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

AON6368的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低功率损耗并提高效率。
  2. 超小型DFN5x6-8封装,有助于减少PCB面积需求,适合空间受限的设计。
  3. 快速开关能力,适合高频开关应用。
  4. 高电流承载能力,可支持高达24A的连续漏极电流。
  5. 宽工作温度范围,能够在极端条件下稳定运行。
  6. 符合RoHS标准,环保且无铅。

应用

AON6368非常适合以下应用:
  1. DC-DC转换器中的功率MOSFET。
  2. 开关电源(SMPS)的同步整流。
  3. 电池保护电路中的负载开关。
  4. 笔记本电脑和平板电脑的电源管理系统。
  5. 各类消费类电子产品中的功率切换功能。
  6. 电机驱动电路中的功率开关元件。

替代型号

AON6369, IRF7832, SI4466DY

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AON6368参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)25A(Ta),52A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)6.1 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)13 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)820 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)6.2W(Ta),27W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线