AON6368是由Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)推出的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种高效能电源管理应用。AON6368的封装形式为DFN5x6-8,适合用于紧凑型设计,同时其优异的电气性能确保了在高电流和高频工作条件下的稳定性。
该器件广泛应用于笔记本电脑、平板电脑、移动设备和其他便携式电子产品的电源管理电路中,如DC-DC转换器、负载开关和电池保护电路等。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:24A
导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
栅极电荷:29nC(典型值)
输入电容:1600pF(典型值)
开关速度:超快
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
AON6368的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低功率损耗并提高效率。
2. 超小型DFN5x6-8封装,有助于减少PCB面积需求,适合空间受限的设计。
3. 快速开关能力,适合高频开关应用。
4. 高电流承载能力,可支持高达24A的连续漏极电流。
5. 宽工作温度范围,能够在极端条件下稳定运行。
6. 符合RoHS标准,环保且无铅。
AON6368非常适合以下应用:
1. DC-DC转换器中的功率MOSFET。
2. 开关电源(SMPS)的同步整流。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. 笔记本电脑和平板电脑的电源管理系统。
5. 各类消费类电子产品中的功率切换功能。
6. 电机驱动电路中的功率开关元件。
AON6369, IRF7832, SI4466DY