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AON6294 发布时间 时间:2025/5/10 11:02:20 查看 阅读:8

AON6294是一款由Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制程技术制造,适用于多种功率转换和负载开关应用。AON6294具有极低的导通电阻和快速的开关速度,从而能够显著降低功耗并提高系统效率。
  其封装形式为SOT-23,适合需要小型化设计的应用场景。由于其出色的性能,AON6294广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制领域。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:1.7A
  导通电阻(典型值,Vgs=10V):55mΩ
  栅极电荷:1.8nC
  总电容:12pF
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:SOT-23

特性

AON6294具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗。
  2. 快速的开关速度,可实现高频操作。
  3. 小巧的SOT-23封装,节省PCB空间。
  4. 宽泛的工作温度范围,适应各种环境条件。
  5. 高可靠性设计,确保长期稳定运行。
  这些特性使得AON6294成为便携式设备、电池管理系统及各类电源管理应用的理想选择。

应用

AON6294适用于以下应用场景:
  1. 移动设备中的负载开关。
  2. 便携式电子产品的DC-DC转换器。
  3. 电池保护电路。
  4. 消费类电子产品中的电源管理模块。
  5. 电信设备中的信号切换。
  6. 工业控制中的小型化功率管理单元。
  由于其高效能与紧凑设计,AON6294在众多领域中表现出色。

替代型号

AON6209, AON6229, AON6284

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AON6294参数

  • 现有数量130,109现货
  • 价格1 : ¥13.04000剪切带(CT)3,000 : ¥5.95002卷带(TR)
  • 系列AlphaMOS
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)17A(Ta),52A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)10 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)40 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2265 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)6.2W(Ta),57W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线