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AON6290 发布时间 时间:2025/4/30 17:53:02 查看 阅读:19

AON6290是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)公司生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特性,非常适合用于各种功率转换和电源管理应用中。其封装形式为SOT-23,能够满足小型化设计需求,同时提供良好的电气性能。

参数

最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):4.1A
  导通电阻(Rds(on)):75mΩ
  总功耗(Ptot):510mW
  工作结温范围(Tj):-55℃至150℃
  封装类型:SOT-23

特性

AON6290的主要特点是其非常低的导通电阻,在Vgs=10V时典型值仅为75mΩ,这有助于减少传导损耗并提高效率。此外,该器件还具备快速开关能力,可有效降低开关损耗。
  AON6290采用了小尺寸的SOT-23封装,使其成为对空间要求严格的应用的理想选择。其较高的工作结温范围允许其在恶劣环境下可靠运行。
  由于其优异的电气特性和紧凑的设计,AON6290适用于需要高效能和高可靠性的场景。

应用

AON6290广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制领域。具体应用场景包括但不限于:
  - 开关电源(SMPS)
  - 直流-直流转换器(DC-DC Converter)
  - 负载开关
  - 电池保护电路
  - 电机驱动
  这些应用都得益于AON6290的低导通电阻和高效率特性,能够实现更优的系统性能。

替代型号

AO3400
  IRLML6402
  FDMQ8203

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AON6290参数

  • 现有数量8,383现货
  • 价格1 : ¥22.98000剪切带(CT)3,000 : ¥11.51281卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)28A(Ta),85A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4.6 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)90 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4600 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)7.3W(Ta),208W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线