AON6276是一款由Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TOLL封装,具有较低的导通电阻和出色的开关性能,适用于各种功率转换和负载开关应用。
此MOSFET的设计特别注重效率和热性能优化,在高电流和高频工作条件下表现出色,因此广泛应用于笔记本电脑、服务器电源、消费类电子设备以及通信系统等领域。
最大漏源电压:55V
连续漏极电流:183A
导通电阻(Rds(on)):1.4mΩ(在Vgs=10V时)
栅极电荷:96nC
输入电容:3320pF
总功耗:218W
工作结温范围:-55℃ to +175℃
AON6276具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低导通损耗并提高整体效率。
2. 高电流处理能力,支持高达183A的连续漏极电流。
3. 快速开关速度,得益于其优化的栅极电荷设计。
4. 紧凑且高效的TOLL封装,增强了散热性能,并兼容自动光学检测(AOI)。
5. 较宽的工作温度范围,能够在极端环境下稳定运行。
6. 符合RoHS标准,环保无铅制造。
AON6276适用于多种高性能应用场景,包括但不限于:
1. DC-DC转换器中的同步整流。
2. 开关模式电源(SMPS)的主开关或同步整流。
3. 电池保护和负载开关电路。
4. 电机驱动和逆变器应用。
5. 计算机及服务器的多相电压调节模块(VRM)。
6. 各种工业和消费类电子产品中的功率管理解决方案。
AON6266, AON6286, IRF7722