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AON6232 发布时间 时间:2025/5/19 18:23:25 查看 阅读:5

AON6232是一款由Alpha and Omega Semiconductor(万国半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制程技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于各种高效能的功率转换应用中。AON6232通常被应用于消费类电子、计算机及外设、通信设备以及工业控制等领域。
  AON6232采用了TO-252封装形式,使其能够在有限的空间内提供出色的电气性能。其低导通电阻特性有助于降低功率损耗,从而提高整体系统效率。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:7.8A
  导通电阻(Rds(on)):1.9mΩ(典型值,于Vgs=10V时)
  栅极电荷:14nC(典型值)
  总电容:288pF(输入电容Ciss,典型值)
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

AON6232具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗,提升整体效率。
  2. 高速开关能力,适用于高频开关电源和DC-DC转换器。
  3. 优化的栅极电荷设计,可减少驱动损耗。
  4. 小型化的TO-252封装形式,便于在紧凑型设计中使用。
  5. 较宽的工作温度范围,确保了在恶劣环境下的可靠性。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

AON6232广泛应用于多种领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),包括AC-DC适配器和充电器。
  2. 各种类型的DC-DC转换器,如降压或升压电路。
  3. 电机驱动应用,例如小型直流电机控制。
  4. 电池保护电路,用于防止过流和短路。
  5. 负载切换和保护电路,例如在汽车电子中的应用。
  6. 消费类电子产品中的功率管理模块,如笔记本电脑和智能手机配件。

替代型号

AON6228, AON6234, IRF7843

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AON6232参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C85A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.5 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.3V @ 25µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs51nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3800pF @ 20V
  • 功率 - 最大2.3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-VDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装8-DFN-EP(5x6)
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1331-6