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AON6230 发布时间 时间:2025/4/29 18:38:50 查看 阅读:18

AON6230是一款由Alpha and Omega Semiconductor(万国半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的工艺制造,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种电源管理应用。AON6230通常用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及各种需要高效能开关的场合。
  AON6230采用DFN5x6-8L封装形式,这种封装具有良好的散热性能,并且适合高密度布局设计,非常适合空间受限的应用场景。

参数

最大漏源电压(Vds):40V
  最大栅源电压(Vgs):±12V
  持续漏极电流(Id):7.9A
  导通电阻(Rds(on)):1.8mΩ @ Vgs=10V
  总栅极电荷(Qg):10nC
  输入电容(Ciss):1340pF
  输出电容(Coss):140pF
  反向传输电容(Crss):60pF
  工作温度范围(Tj):-55°C to +150°C

特性

AON6230具有非常低的导通电阻(Rds(on)),这使得它在大电流应用中表现出色,能够有效降低功耗并提高效率。
  该器件还具备快速开关能力,其低栅极电荷和优化的寄生电容使其适合高频开关应用。
  此外,AON6230的工作温度范围宽广,能够在极端环境下稳定运行,非常适合工业和汽车领域的需求。
  其紧凑的DFN5x6封装不仅节省了PCB空间,还能提供良好的散热性能,进一步增强了器件的可靠性。

应用

AON6230广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制领域中的各种电源管理方案。
  典型应用包括:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流
  2. DC-DC转换器中的主开关或同步整流
  3. 负载开关以实现电路保护和动态功耗管理
  4. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制
  5. 电机驱动中的功率级开关
  6. 各类高效能开关电路设计
  由于其出色的电气特性和可靠性,AON6230成为许多工程师在设计高性能功率转换电路时的首选元件。

替代型号

AON7542G, IRF7843, FDP5580

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AON6230参数

  • 现有数量0现货
  • 价格3,000 : ¥7.84321卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)57.5A(Ta),85A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.44 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)114 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)6050 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)7.4W(Ta),104W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线