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AON6224A 发布时间 时间:2025/7/14 18:16:27 查看 阅读:9

AON6224A是一款由Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的工艺技术制造,具有低导通电阻和快速开关特性,非常适合用于高效能的电源管理应用。AON6224A的封装形式为SOT-23-3L,其小型化设计使其成为便携式电子设备的理想选择。
  该器件主要应用于DC-DC转换器、负载开关、电池保护电路以及其他需要高效功率转换的场景。凭借其出色的电气性能和可靠性,AON6224A广泛适用于消费电子、通信设备及工业自动化等领域。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  持续漏极电流:4.1A
  导通电阻:75mΩ(典型值,在Vgs=4.5V时)
  总功耗:670mW
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

AON6224A具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻,可减少传导损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关能力,支持高频操作,降低开关损耗。
  3. 小型SOT-23-3L封装,节省PCB空间。
  4. 高度可靠的热性能和电气性能,确保在各种环境下的稳定运行。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

AON6224A适用于多种应用领域,包括但不限于:
  1. 手机和平板电脑中的负载开关和电源管理。
  2. DC-DC转换器中的同步整流或开关管。
  3. 电池保护电路,用于防止过流或短路。
  4. 消费类电子产品中的电源开关。
  5. 各种便携式设备中的高效功率转换方案。

替代型号

AON6224

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AON6224A参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥5.18203卷带(TR)
  • 系列AlphaSGT?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)16A(Ta),34A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)11.6 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)50 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2305 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)16W(Ta),56.5W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线