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AON6224 发布时间 时间:2025/6/30 10:46:12 查看 阅读:6

AON6224是一款由Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用超薄封装设计,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合在高效能、紧凑型的电源管理应用中使用。
  该MOSFET主要面向消费电子、通信设备以及工业控制等领域,广泛用于负载开关、DC-DC转换器、电池管理电路等场景。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±8V
  连续漏极电流(Id):15A
  导通电阻(Rds(on)):1.9mΩ (典型值,在Vgs=10V时)
  总栅极电荷(Qg):22nC
  输入电容(Ciss):730pF
  封装形式:LFPAK56E

特性

AON6224以其出色的性能和可靠性著称,以下是其主要特性:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),能够显著降低功率损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关能力,适用于高频应用场合。
  3. 小型化封装设计,节省PCB空间,满足现代电子设备对尺寸的要求。
  4. 高度稳定的电气性能,确保在不同工作条件下的可靠性。
  5. 符合RoHS标准,环保且支持无铅焊接工艺。

应用

AON6224适用于多种电源管理和功率转换应用场景:
  1. 移动设备中的负载开关。
  2. 消费类电子产品中的DC-DC转换器。
  3. 工业控制设备中的电机驱动电路。
  4. 笔记本电脑和服务器中的电源分配模块。
  5. 充电器和适配器中的同步整流电路。
  6. 多种电池供电系统的保护与管理电路。

替代型号

AO3400
  AON6221
  IRLR7843
  FDP16N03L

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AON6224参数

  • 现有数量0现货
  • 价格3,000 : ¥4.90827卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)34A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)12 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)50 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2420 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)56.5W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线