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AON3816 发布时间 时间:2025/4/28 15:22:01 查看 阅读:4

AON3816是一款由Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用Trench工艺制造,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,非常适合用于消费电子、通信设备以及工业应用中的开关和负载驱动场景。
  其小型化的封装设计(SOT-23)使得它在空间受限的应用中表现出色,同时具备出色的热性能和电气性能。

参数

型号:AON3816
  类型:N-Channel MOSFET
  VDS(漏源极电压):30V
  RDS(on)(导通电阻,典型值@ VGS=4.5V):90mΩ
  RDS(on)(导通电阻,典型值@ VGS=10V):70mΩ
  ID(连续漏极电流):3.7A
  VGS(栅源极电压):±20V
  封装:SOT-23
  工作温度范围:-55℃ to +150℃

特性

AON3816具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,能够有效减少功率损耗,提高效率。
  2. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的耐用性。
  3. 小型化SOT-23封装,适合于紧凑型设计。
  4. 快速开关速度,适用于高频应用。
  5. 符合RoHS标准,环保且无铅。
  6. 提供了出色的可靠性和稳定性,能够在极端条件下保持正常运行。

应用

AON3816广泛应用于各种领域:
  1. 开关电源(Switching Power Supplies),如DC-DC转换器。
  2. 各类负载开关应用,例如USB端口保护。
  3. 电机控制和驱动电路。
  4. 便携式设备中的电池管理。
  5. 电信设备中的信号切换。
  6. 消费类电子产品中的背光驱动和LED驱动。

替代型号

AO3400
  AO3401
  IRLML6401

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AON3816产品

AON3816参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C22 毫欧 @ 4A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs15nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1315pF @ 10V
  • 功率 - 最大1.4W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SMD,扁平引线裸焊盘
  • 供应商设备封装8-DFN(3x3)
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1132-6