AON3816是一款由Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用Trench工艺制造,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,非常适合用于消费电子、通信设备以及工业应用中的开关和负载驱动场景。
其小型化的封装设计(SOT-23)使得它在空间受限的应用中表现出色,同时具备出色的热性能和电气性能。
型号:AON3816
类型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源极电压):30V
RDS(on)(导通电阻,典型值@ VGS=4.5V):90mΩ
RDS(on)(导通电阻,典型值@ VGS=10V):70mΩ
ID(连续漏极电流):3.7A
VGS(栅源极电压):±20V
封装:SOT-23
工作温度范围:-55℃ to +150℃
AON3816具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻,能够有效减少功率损耗,提高效率。
2. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的耐用性。
3. 小型化SOT-23封装,适合于紧凑型设计。
4. 快速开关速度,适用于高频应用。
5. 符合RoHS标准,环保且无铅。
6. 提供了出色的可靠性和稳定性,能够在极端条件下保持正常运行。
AON3816广泛应用于各种领域:
1. 开关电源(Switching Power Supplies),如DC-DC转换器。
2. 各类负载开关应用,例如USB端口保护。
3. 电机控制和驱动电路。
4. 便携式设备中的电池管理。
5. 电信设备中的信号切换。
6. 消费类电子产品中的背光驱动和LED驱动。
AO3400
AO3401
IRLML6401