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AON2803 发布时间 时间:2025/5/28 18:11:40 查看 阅读:24

AON2803是Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体)推出的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用了先进的工艺制造,具有低导通电阻、快速开关速度和高电流承载能力的特点,适用于多种电源管理应用。AON2803采用SOT-23封装形式,非常适合空间受限的设计场景。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  连续漏极电流:1.4A
  导通电阻:75mΩ(在Vgs=4.5V时)
  栅极电荷:3.6nC
  开关时间:ton=9ns,toff=18ns
  工作结温范围:-55℃至150℃

特性

AON2803的主要特性包括超低的导通电阻,这使得其能够以最小的功率损耗实现高效的电流传输。
  此外,该器件还具备出色的热稳定性和抗静电能力(ESD防护性能达到2kV以上),确保在严苛环境下依然可靠运行。
  AON2803的快速开关速度使其非常适合高频应用,例如DC-DC转换器、负载开关和电池管理等场景。
  另外,SOT-23的小型化封装也极大提升了其在便携式电子设备中的适用性。

应用

AON2803广泛应用于各种需要高效功率控制的领域,如消费类电子产品中的负载开关、手机和平板电脑中的电源管理模块、USB充电端口保护电路、音频放大器以及LED驱动电路。
  同时,它也非常适合用于设计紧凑型适配器、充电器和笔记本电脑中的电源管理系统。
  由于其出色的高频性能,AON2803还可以用作小型DC-DC转换器的核心开关元件。

替代型号

AO3400
  IRLML6402
  FDMT6680

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AON2803参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥1.88900卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 个 P 沟道(双)
  • FET 功能逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss)20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.8A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)70 毫欧 @ 3.8A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)12nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)560pF @ 10V
  • 功率 - 最大值1.5W
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳6-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装6-DFN(2x2)