AOD66923是一款由Alpha and Omega Semiconductor(AOS)推出的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于电源管理、电机驱动、负载开关等应用场合。AOD66923的封装形式为LFPAK88(Power88),这种封装具有优异的散热性能和较低的寄生电感,有助于提高整体系统效率。
该MOSFET的最大漏源电压为40V,能够满足大多数低压应用需求。同时,其低导通电阻特性可以有效降低传导损耗,从而提升能效并减少热量产生。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:107A
导通电阻:1.2mΩ
栅极电荷:57nC
输入电容:3580pF
工作温度范围:-55℃至175℃
AOD66923的主要特性包括超低导通电阻(仅1.2mΩ),这使得它在大电流应用中表现出色。此外,该器件还具备快速开关能力,有助于减少开关损耗。其LFPAK88封装设计进一步增强了热性能和电气性能,适用于表面贴装技术(SMT)生产线。AOD66923符合RoHS标准,并支持高温操作,确保在严苛环境下的可靠性。
由于其出色的电气特性和封装优势,这款MOSFET非常适合用作同步整流器、DC-DC转换器以及各种功率转换电路中的开关元件。
AOD66923广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备领域。典型的应用场景包括但不限于笔记本电脑适配器、服务器电源、电动工具电池管理系统、汽车电子中的负载切换和保护电路等。凭借其强大的电流承载能力和高效的工作模式,AOD66923成为众多设计工程师的理想选择。此外,在需要高频工作的电路中,例如PWM控制器或LED驱动器,该器件同样表现出众。
AO66923