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AOD609G 发布时间 时间:2025/6/4 20:56:58 查看 阅读:6

AOD609G是一款基于MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode MOSFET)。该器件主要用于开关和功率转换应用,具有较低的导通电阻和快速的开关速度。其封装形式通常为SOT-23,适合用于空间受限的设计。
  由于其出色的性能,AOD609G在便携式设备、消费电子、通信设备等领域中得到了广泛应用。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:1.1A
  导通电阻:150mΩ
  栅极电荷:3.8nC
  功耗:420mW
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

AOD609G的主要特性包括:
  1. 超低的导通电阻Rds(on),可显著降低传导损耗,提高效率。
  2. 高速开关性能,支持高频工作场合。
  3. 小型化SOT-23封装,适用于高密度设计。
  4. 较宽的工作温度范围,适应多种环境条件。
  5. 静电防护能力较强,可靠性高。
  6. 符合RoHS标准,环保且易于焊接。

应用

AOD609G广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器中的功率开关。
  3. 消费类电子产品中的负载开关。
  4. 手机和平板电脑等便携设备的电池管理。
  5. 过流保护电路及电机驱动控制。
  6. 各种低功耗和高效能要求的应用场景。

替代型号

AO3400A
  AON7542
  IRLML6401

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AOD609G参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥7.63000剪切带(CT)2,500 : ¥2.95329卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置N 和 P 沟道互补型
  • FET 功能-
  • 漏源电压(Vdss)40V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)12A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)30 毫欧 @ 12A,10V,45 毫欧 @ 12A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)13nC @ 10V,21nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)545pF @ 20V,890pF @ 20V
  • 功率 - 最大值2W(Ta),27W(Tc),2W(Ta),30W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD
  • 供应商器件封装TO-252-4L