时间：2025/5/7 10:09:43
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AOD482是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够在高频应用中提供优异的性能。
该MOSFET适合于需要高效能和低损耗的设计场景，其封装形式通常为TO-252（DPAK），便于散热和安装。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：12A
导通电阻：25mΩ
栅极电荷：7.5nC
开关时间：ton=11ns, toff=32ns
工作结温范围：-55℃至175℃
AOD482具备以下显著特性：
1. 低导通电阻：能够有效降低功率损耗，提高系统效率。
2. 快速开关速度：有助于减少开关损耗，在高频应用场景下表现优越。
3. 高电流承载能力：支持高达12A的持续漏极电流，适用于大功率设计。
4. 耐热增强封装：采用TO-252封装，增强了散热性能。
5. 宽工作温度范围：可以在极端温度条件下稳定运行，适应多种环境需求。
6. 高可靠性：经过严格的质量控制和测试流程，确保在各种应用中的稳定性。
AOD482主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. 电机驱动电路
3. DC-DC转换器
4. 电池管理与保护
5. 负载切换和保护
6. 工业自动化设备
由于其高性能和可靠性，AOD482是许多电力电子设计的理想选择。
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