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AOD468 发布时间 时间:2025/5/20 20:56:22 查看 阅读:3

AOD468是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于电源管理、负载开关、电机驱动和信号切换等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性等特性。AOD468通常用于需要高效能和低功耗的电子电路设计中。
  其封装形式为SOT-23,这种小型化封装使得AOD468非常适合于空间受限的应用场景。此外,AOD468具有较低的栅极电荷和输入电容,这使其在高频开关应用中表现出色。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:1.7A
  导通电阻:0.12Ω(在Vgs=10V时)
  栅极电荷:4nC
  输入电容:120pF
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

1. 超低导通电阻:AOD468在典型工作条件下展现出极低的导通电阻,从而降低了功率损耗,提高了效率。
  2. 高速开关性能:由于其较低的栅极电荷和快速的开关时间,AOD468非常适合高频应用。
  3. 小型化封装:SOT-23封装不仅节省了PCB空间,还提供了良好的散热性能。
  4. 宽工作温度范围:能够在极端温度条件下稳定运行,适应各种环境需求。
  5. 可靠性高:通过严格的筛选和测试,确保器件在长期使用中的可靠性。

应用

1. 开关电源和DC-DC转换器
  2. 负载开关和电池保护
  3. 电机驱动和控制
  4. 信号切换和隔离
  5. 消费类电子产品中的电源管理
  AOD468凭借其优异的性能和可靠性,成为众多工程师在设计高性能电子设备时的首选元件。

替代型号

AO3400
  IRLML6402
  FDS6680

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AOD468产品

AOD468参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)300V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C420 毫欧 @ 6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds790pF @ 25V
  • 功率 - 最大150W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1354-6