AOD468是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于电源管理、负载开关、电机驱动和信号切换等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性等特性。AOD468通常用于需要高效能和低功耗的电子电路设计中。
其封装形式为SOT-23,这种小型化封装使得AOD468非常适合于空间受限的应用场景。此外,AOD468具有较低的栅极电荷和输入电容,这使其在高频开关应用中表现出色。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:1.7A
导通电阻:0.12Ω(在Vgs=10V时)
栅极电荷:4nC
输入电容:120pF
工作温度范围:-55℃至+150℃
1. 超低导通电阻:AOD468在典型工作条件下展现出极低的导通电阻,从而降低了功率损耗,提高了效率。
2. 高速开关性能:由于其较低的栅极电荷和快速的开关时间,AOD468非常适合高频应用。
3. 小型化封装:SOT-23封装不仅节省了PCB空间,还提供了良好的散热性能。
4. 宽工作温度范围:能够在极端温度条件下稳定运行,适应各种环境需求。
5. 可靠性高:通过严格的筛选和测试,确保器件在长期使用中的可靠性。
1. 开关电源和DC-DC转换器
2. 负载开关和电池保护
3. 电机驱动和控制
4. 信号切换和隔离
5. 消费类电子产品中的电源管理
AOD468凭借其优异的性能和可靠性,成为众多工程师在设计高性能电子设备时的首选元件。
AO3400
IRLML6402
FDS6680