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AOD464 发布时间 时间:2025/4/29 18:59:39 查看 阅读:13

AOD464是一款N-Channel增强型MOSFET,采用小型化SOT23封装形式。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特性,适用于多种电源管理及信号切换应用场景。其低栅极电荷和优化的Qg性能使其在高频应用中表现出色。

参数

最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):1.5A
  导通电阻(Rds(on)):1.4Ω
  栅极电荷(Qg):3nC
  工作结温范围(Tj):-55℃ to 150℃

特性

AOD464具有出色的低导通电阻性能,能够在高频率下提供高效的功率转换。同时,其小尺寸的SOT23封装非常适合空间受限的设计场景。此外,器件具备良好的热稳定性和可靠性,确保在宽温度范围内稳定运行。
  AOD464的快速开关特性和低栅极电荷使得它在高频开关电路中的损耗更低,适合DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等应用领域。

应用

该元器件主要应用于消费类电子产品、通信设备以及工业控制等领域。典型的应用场景包括:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器中的高频开关元件。
  3. 负载开关和电池保护电路。
  4. 小型电机驱动及音频放大器的信号切换。
  由于其紧凑的封装和高效性能,AOD464特别适合便携式设备如智能手机、平板电脑和其他移动电子产品的设计需求。

替代型号

AO3400
  IRLML6401
  FDS6680

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AOD464参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)105V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C40A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C28 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs46nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2445pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252
  • 包装带卷 (TR)