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AOD458 发布时间 时间:2025/6/3 20:12:08 查看 阅读:10

AOD458是一款基于砷化镓(GaAs)工艺制造的高频射频开关芯片,主要应用于无线通信、卫星通信和雷达系统等领域。该器件具有低插入损耗、高隔离度以及出色的线性度性能,能够满足现代射频系统的严格要求。AOD458支持宽频率范围操作,并且可以通过简单的控制信号实现通道切换功能。
  AOD458采用了小型化的封装设计,便于在紧凑型电路板中集成,同时具备较高的可靠性和稳定性,适用于各种复杂环境下的射频信号处理场景。

参数

工作频率范围:DC至6GHz
  插入损耗:0.6dB(典型值)
  隔离度:35dB(最小值)
  电源电压:2.7V至5.5V
  静态电流:1.2mA(典型值)
  封装形式:SOT-363
  工作温度范围:-40℃至+85℃

特性

AOD458具有以下显著特点:
  1. 宽带频率响应能力,覆盖从直流到6GHz的范围。
  2. 低插入损耗,确保信号传输效率更高。
  3. 高隔离度,减少干扰并提高系统性能。
  4. 简单的逻辑控制接口,易于与外部微控制器或FPGA配合使用。
  5. 小巧的SOT-363封装,节省PCB空间。
  6. 良好的温度稳定性和抗电磁干扰能力,适应恶劣的工作条件。
  7. 可靠性高,使用寿命长,适合大规模量产应用。

应用

AOD458广泛应用于以下领域:
  1. 无线通信设备,如基站收发信机、蜂窝电话和Wi-Fi模块。
  2. 卫星通信系统,包括地面站接收器和发射器。
  3. 雷达装置中的射频前端部分。
  4. 医疗成像设备中的超声波探头驱动电路。
  5. 测试测量仪器,例如频谱分析仪和网络分析仪。
  6. 工业自动化控制领域的高频信号切换电路。

替代型号

AAT458, SKY13392-375LF, RFSC458

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AOD458参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)250V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C280 毫欧 @ 7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs15nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds770pF @ 25V
  • 功率 - 最大150W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1353-6