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AOD4286 发布时间 时间:2025/6/11 15:56:28 查看 阅读:20

AOD4286是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,采用先进的工艺制造,具有较低的导通电阻和较高的开关速度。它广泛应用于各种需要高效能功率管理的场景,例如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等。该器件封装形式为SOT-23,适合于小型化设计需求。
  由于其低导通电阻和小尺寸特性,AOD4286在消费电子、通信设备及便携式设备中得到了广泛应用。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  持续漏极电流:2.7A
  导通电阻(典型值):55mΩ
  总功耗:410mW
  工作结温范围:-55℃ to 150℃

特性

1. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关性能,能够支持高频应用。
  3. 小型SOT-23封装,非常适合空间受限的设计。
  4. 较宽的工作温度范围,适应多种环境条件。
  5. 符合RoHS标准,绿色环保。
  6. 栅极阈值电压低,便于由低压逻辑信号直接驱动。

应用

1. DC-DC转换器中的功率开关。
  2. 负载开关用于电源管理。
  3. 电池保护电路以防止过流或短路。
  4. 电机驱动中的功率级控制。
  5. 各种消费类电子产品中的电源管理模块。
  6. 通信设备中的信号切换与功率分配。

替代型号

AO3400
  AON2191
  IRLML6401

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AOD4286参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,500 : ¥1.87608卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4A(Ta),14A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)68 毫欧 @ 5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.9V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)10 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)390 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.5W(Ta),30W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252(DPAK)
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63