AOD4286是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,采用先进的工艺制造,具有较低的导通电阻和较高的开关速度。它广泛应用于各种需要高效能功率管理的场景,例如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等。该器件封装形式为SOT-23,适合于小型化设计需求。
由于其低导通电阻和小尺寸特性,AOD4286在消费电子、通信设备及便携式设备中得到了广泛应用。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±8V
持续漏极电流:2.7A
导通电阻(典型值):55mΩ
总功耗:410mW
工作结温范围:-55℃ to 150℃
1. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能,能够支持高频应用。
3. 小型SOT-23封装,非常适合空间受限的设计。
4. 较宽的工作温度范围,适应多种环境条件。
5. 符合RoHS标准,绿色环保。
6. 栅极阈值电压低,便于由低压逻辑信号直接驱动。
1. DC-DC转换器中的功率开关。
2. 负载开关用于电源管理。
3. 电池保护电路以防止过流或短路。
4. 电机驱动中的功率级控制。
5. 各种消费类电子产品中的电源管理模块。
6. 通信设备中的信号切换与功率分配。
AO3400
AON2191
IRLML6401