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AOD424 发布时间 时间:2025/5/7 23:10:55 查看 阅读:11

AOD424是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于开关和功率放大等应用。它具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热稳定性,适用于各种高效能电源管理设计。
  该器件通常被用于消费类电子设备、工业控制、汽车电子以及其他需要高效功率转换的领域。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±10V
  连续漏极电流:5.7A
  导通电阻(典型值)电荷:1.8nC
  开关时间:ton=11ns,toff=16ns
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

AOD424采用先进的制造工艺,具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 快速的开关速度,适合高频应用环境。
  3. 良好的热性能,确保在高功率条件下稳定运行。
  4. 小尺寸封装(如SOT-23),方便布局且节省空间。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

AOD424广泛应用于多种场景,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC转换器的功率开关。
  3. 电机驱动电路中的功率级元件。
  4. 各种负载切换和保护电路。
  5. 消费类电子产品中的电池管理单元。
  6. 工业自动化设备中的信号隔离与驱动控制。

替代型号

AO3400
  AON2282
  IRLML6402

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AOD424参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C18A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.4 毫欧 @ 20A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.6V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs43nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4630pF @ 10V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252
  • 包装带卷 (TR)