时间：2025/6/18 9:11:55
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AOD4186是一款N沟道增强型MOSFET，采用DFN5*6-8L封装形式。该器件具有较低的导通电阻和快速开关特性，适用于高效能功率转换、负载开关以及DC-DC转换器等应用领域。其工作电压范围较广，能够承受高达30V的漏源极电压，并具备出色的电流承载能力。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：9.4A
导通电阻(Rds(on))：2.5mΩ（在Vgs=10V时）
栅极电荷(Qg)：17nC
总电容(Ciss)：1050pF
工作温度范围：-55°C至+175°C
AOD4186具备低导通电阻特性，这有助于减少功率损耗并提升系统效率。
其快速开关速度使得它非常适合高频应用环境，同时还能降低电磁干扰(EMI)问题。
该器件采用了小型化的DFN封装，节省了电路板空间，为紧凑型设计提供了便利。
AOD4186还具有较高的雪崩能量吸收能力，从而增强了产品的可靠性与稳定性。
此外，这款MOSFET符合RoHS标准，满足绿色环保要求。
AOD4186广泛应用于消费类电子产品、工业控制设备及通信设施中。
典型应用场景包括同步整流、电机驱动、电源管理模块、笔记本电脑适配器以及电池保护电路等。
由于其优良的电气性能和热性能，也非常适合用于高密度多相VRM（电压调节模块）设计。
另外，在汽车电子领域，该器件可用于车身控制单元、LED照明驱动等方面。
AO3400A
